國(guó)際領(lǐng)先的照明廠商科銳（CREE）宣布推出了第二代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品。新產(chǎn)品能夠在更小的尺寸上提供高效率的照明。

　　第二代的MOSFET產(chǎn)品提供業(yè)界領(lǐng)先的能源轉(zhuǎn)換效率，而在同樣的發(fā)光效率下其成本只有科銳前一代MOSFET產(chǎn)品的一半。從性價(jià)比來(lái)看，新型的MOSFET產(chǎn)品是更小尺寸以及更輕量化的選擇，其碳化硅系統(tǒng)通過提高效率來(lái)降低成本，協(xié)助OEM客戶降低系統(tǒng)成本，并為終端客戶節(jié)省額外的花費(fèi)。

       德國(guó)弗萊堡（Freiburg）行內(nèi)著名的Fraunhofer研究院（Fraunhofer-Institute）專家Bruno Burger博士表示：“我們已經(jīng)在先進(jìn)的太陽(yáng)能電路中采用科銳第二代碳化硅功率MOSFET進(jìn)行評(píng)估。它們擁有最好的效率，并能讓系統(tǒng)在較高切換頻率時(shí)運(yùn)作，從而實(shí)現(xiàn)尺寸更小的被動(dòng)元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽(yáng)能逆變器的成本/效能折衷，有助開發(fā)更小、更輕及更高效的系統(tǒng)。”

　　科銳功率及射頻事業(yè)部副總裁及總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“有了這個(gè)新MOSFET平臺(tái)，我們?cè)诙鄠€(gè)領(lǐng)域上都贏得客戶的導(dǎo)入設(shè)計(jì)。由于第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產(chǎn)出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產(chǎn)。”

　　科銳現(xiàn)提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用于高功率模組；而80毫歐姆導(dǎo)功率MOSFET則采用TO-247封裝，以優(yōu)越性能及較低成本，取代科銳第一代產(chǎn)品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購(gòu)得。