中興被美國(guó)切斷核心部件、軟件和技術(shù)供應(yīng)一事，引發(fā)社會(huì)對(duì)中國(guó)芯片行業(yè)的熱切關(guān)注。

　　產(chǎn)業(yè)研究分析機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）4月19日指出，中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專(zhuān)注于移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的合肥長(zhǎng)鑫以及致力于普通存儲(chǔ)芯片的晉華集成三大企業(yè)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來(lái)看，試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半年，量產(chǎn)時(shí)間可能都在2019年上半年，這預(yù)示著2019年將成為中國(guó)存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)元年。

　　集邦科技旗下的存儲(chǔ)芯片研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange表示，從這三大企業(yè)目前布局進(jìn)度來(lái)看，合肥長(zhǎng)鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三

　　季開(kāi)始搬入測(cè)試用機(jī)臺(tái)。合肥長(zhǎng)鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致相同，計(jì)劃將在今年第三季試產(chǎn)，量產(chǎn)則暫定在2019年上半年，進(jìn)程比預(yù)期延后。此外，由于合肥長(zhǎng)鑫直接進(jìn)攻三大DRAM廠（三星、SK海力士和美光）最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，后續(xù)面臨專(zhuān)利爭(zhēng)議的可能性較高，為避免這一狀況，除了積極積累專(zhuān)利之外，初期可能將鎖定在中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售。

　　反觀專(zhuān)注于普通存儲(chǔ)芯片的晉華集成，在2016年7月宣布在福建省晉江市建設(shè)12英寸晶元廠，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來(lái)看，其普通存儲(chǔ)芯片的試產(chǎn)延后至今年第三季度，計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)。

　　此外，從中國(guó)廠商N(yùn)AND Flash的發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，2016年12月底，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式動(dòng)工，計(jì)劃分三個(gè)階段，共建三座

　　3D-NAND Flash廠房。第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)，預(yù)計(jì)2018年第三季度開(kāi)始搬入機(jī)臺(tái)，第四季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片量不超過(guò)1萬(wàn)片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)在自家的64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第二、第三期的生產(chǎn)計(jì)劃。

　　DRAMeXchange指出，觀察中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計(jì)劃，2019年將是中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期難以撼動(dòng)全球市場(chǎng)現(xiàn)有格局。無(wú)論是DRAM還是NAND產(chǎn)品，各家都是初試啼聲，相比耕耘多年的存儲(chǔ)芯片大廠面臨更多挑戰(zhàn)，因此也不排除中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠量產(chǎn)時(shí)間比預(yù)期延后的可能性。

　　長(zhǎng)期來(lái)看，隨著中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020-2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿(mǎn)產(chǎn)，在最樂(lè)觀的預(yù)估下，屆時(shí)兩家合計(jì)約有每月25萬(wàn)片的投片規(guī)模，可能將開(kāi)始影響全球DRAM市場(chǎng)的供給。另一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃設(shè)有三座廠房，總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬(wàn)片，不排除長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成64層產(chǎn)品開(kāi)發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投產(chǎn)，進(jìn)而在未來(lái)三到五年對(duì)NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。