2018年6月9-12日，由陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會、西安交通大學(xué)和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦，陜西省真空學(xué)會、西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同承辦的“第五屆單晶金剛石及其電子器件國際研討會（5thSCDE)”在西安交通大學(xué)南洋大酒店隆重召開。有來自不同國家和地區(qū)的90余位專家和學(xué)者參加此次國際研討會。此次國際研討會由著名光電子學(xué)專家侯洵院士擔(dān)任大會名譽主席，陜西省真空學(xué)會常務(wù)副理事長、西安交通大學(xué)電信學(xué)院國家“千人計劃”特聘專家王宏興教授擔(dān)任大會執(zhí)行主席。

　　超寬禁帶半導(dǎo)體——單晶金剛石集電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、聲學(xué)和熱學(xué)等優(yōu)異特性于一體，在高溫、高效、超大功率毫米波電子器件，電力電子器件，生物傳感器，光電探測與成像，粒子探測與成像，航空航天等系統(tǒng)方面有著極其重要的應(yīng)用前景，被業(yè)界譽為“終極半導(dǎo)體”。金剛石電子器件相比其他半導(dǎo)體器件還具有體積小、集成度高和無需制冷的優(yōu)勢。在節(jié)能減排、打造綠色地球方面將發(fā)揮其獨特的優(yōu)勢，將引發(fā)新一代半導(dǎo)體技術(shù)的革命。

　　大會開幕式由王宏興教授主持。此次大會由國內(nèi)外多名金剛石專家和學(xué)者分別做了40余場精彩紛呈的學(xué)術(shù)報告，與會代表進(jìn)行了熱烈的討論。日本金剛石協(xié)會理事長及早稻田大學(xué)H. Kawarada教授的大會邀請報告重點回顧了2017-2018年單晶金剛石及其電子器件的最新研究動向及其研究團(tuán)隊一年來的重要研究進(jìn)展，美國亞利桑那州立大學(xué)Robert J. Nemanich教授分析了金剛石在高溫、大電流電力電子器件領(lǐng)域的優(yōu)勢及國際最新研究進(jìn)展，指出金剛石良好的導(dǎo)熱和抗擊穿特性使其在研制電力電子器件方面可以突破電子遷移率瓶頸限制。另外，西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、中國電科55所和北京科技大學(xué)分別報道了各自在金剛石上氮化鎵微波器件研制方面的進(jìn)展，引起與會專家和學(xué)者的高度關(guān)注。金剛石微波器件由于自熱瓶頸的限制，使其卓越功效難以發(fā)揮，而金剛石具有自然界最好的導(dǎo)熱特性，將氮化鎵與金剛石結(jié)合可以進(jìn)一步挖掘氮化鎵器件的潛力，為高頻、大功率和高導(dǎo)熱氮化物器件的應(yīng)用開辟新的思路。日本德島大學(xué)敖金平博士、吉林大學(xué)超硬材料國家重點實驗室劉冰冰教授、鄭州大學(xué)劉玉懷教授、中電科技55所孔月嬋研究員和西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心學(xué)者們等四十余位分別介紹了各自團(tuán)隊在金剛石及其電子器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展。同時，會議期間與會學(xué)者報道和探討了石墨烯、氮化硼及金剛石異質(zhì)結(jié)領(lǐng)域的進(jìn)展。此外，會議期間，國際著名光電子專家、日本德島大學(xué)酒井士郎教授與學(xué)者探討了其對金剛石未來的發(fā)展看法和建議。

　　此次會議為單晶金剛石材料、電子器件、金剛石單晶生長設(shè)備等相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、技術(shù)人員及企業(yè)家等提供了學(xué)術(shù)交流平臺，加強國內(nèi)外同行及企業(yè)家之間的相互了解和合作，共同促進(jìn)國際單晶金剛石材料及其電子器件行業(yè)及相關(guān)行業(yè)的蓬勃發(fā)展。通過國內(nèi)外各相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者的交流，展示了世界新型超寬禁帶半導(dǎo)體及其新型碳材料研究領(lǐng)域的最新進(jìn)展，新的實驗方法和理論，進(jìn)一步凝煉關(guān)鍵科學(xué)問題，歸納基本規(guī)律，提供理論依據(jù)和實驗方法，全面推動以先進(jìn)碳材料為基礎(chǔ)的跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的深入實質(zhì)性的合作，促進(jìn)我國單晶金剛石半導(dǎo)體材料及其電子器件研究平臺的建設(shè)，并且通過共同努力，推動國際單晶金剛石及其電子器件研究的進(jìn)步和發(fā)展，拓展該類先進(jìn)電子材料與器件的應(yīng)用與成果轉(zhuǎn)化。

　　專家一致認(rèn)為單晶金剛石要步入半導(dǎo)體大門，應(yīng)重點突破高質(zhì)量大面積單晶金剛石晶圓和電子器件級單晶金剛石薄膜的生長技術(shù)，這是單晶金剛石摻雜和走向應(yīng)用的重要基礎(chǔ)。此外，單晶金剛石的缺陷特性、摻雜、載流子輸運調(diào)控及歐姆接觸和肖特基接觸也是單晶金剛石正式邁入半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的準(zhǔn)入證。同時，應(yīng)將強金剛石與其他半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)和異構(gòu)結(jié)構(gòu)方面的研究，開辟金剛石基半導(dǎo)體在能帶工程和量子器件領(lǐng)域的新應(yīng)用。