氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
      “十二五”期間，863計(jì)劃重點(diǎn)支持了“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目。近日，科技部高新司在北京組織召開項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。項(xiàng)目重點(diǎn)圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)中的關(guān)鍵材料、關(guān)鍵器件以及關(guān)鍵工藝進(jìn)行研究，開發(fā)出基于新型基板的第三代半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)，滿足對應(yīng)高性能封裝和低成本消費(fèi)級封裝的需求，研制出高帶寬GaN發(fā)光器件及基于發(fā)光器件的可見光通信技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)智能家居演示系統(tǒng)的試制；開展第三代半導(dǎo)體封裝和系統(tǒng)可靠性研究，形成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范；制備出高性能SiC基GaN器件。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通訊等領(lǐng)域取得突破，自主發(fā)展出相關(guān)材料與器件的關(guān)鍵技術(shù)，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。
      “十三五”期間，為進(jìn)一步推動(dòng)我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》，將“戰(zhàn)略先進(jìn)電子材料”列為發(fā)展重點(diǎn)之一，以第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點(diǎn)，推動(dòng)跨界技術(shù)整合，搶占先進(jìn)電子材料技術(shù)的制高點(diǎn)