無論用何種方法生長(zhǎng)晶體，總要有晶核存在，籽晶可為晶體繼續(xù)生長(zhǎng)的“核”。與自發(fā)成核相比，放置籽晶生長(zhǎng)晶體能控制晶體的取向，生長(zhǎng)速率，完整性和摻雜等。但在所有多組分系統(tǒng)中，特別是在助熔劑系統(tǒng)中，擴(kuò)散慢，因而生長(zhǎng)速度也慢，這是用晶種法生長(zhǎng)晶體的不利因素。
　　以通常情況下有三種放置籽晶的生長(zhǎng)方法是可行的：
　　1．在有籽晶時(shí)借助于緩慢冷卻生長(zhǎng)晶體。
　　2．在處于系統(tǒng)冷區(qū)的籽晶上生長(zhǎng)，而過量的溶質(zhì)和熔劑在系統(tǒng)的熱區(qū)接觸形成。
　　3．在籽晶上生長(zhǎng)晶體，而過飽和度是因蒸發(fā)熔劑造成的。
　　在高壓，高溫條件下合成立方氮化硼時(shí)，主要采用的方法是第2種。在此情況下生長(zhǎng)只是在窄的溫度范圍內(nèi)才是穩(wěn)定的，并且組分，雜質(zhì)的分布常依賴于溫度這一參數(shù)。
　　籽晶可用專門培養(yǎng)的，也可在長(zhǎng)成的晶體中選取，原則上晶體的任何一部分都可以做為籽晶。由于晶體生長(zhǎng)的各向異性，一個(gè)完全由自然面所包圍的小晶體，并不一定是最合適的籽晶。籽晶應(yīng)根據(jù)所培養(yǎng)的晶體的生長(zhǎng)習(xí)性，選擇有利的形式，例如對(duì)于在各個(gè)方向都較勻稱生長(zhǎng)的晶體，可選取“粒狀”籽晶；對(duì)于在某一方向生長(zhǎng)較慢的晶體，最好采用平行該方向的“桿狀”籽晶；對(duì)于主要在一個(gè)方向上生長(zhǎng)的晶體，則應(yīng)選取截面垂直該方向的“片狀”籽晶。
　　籽晶應(yīng)該經(jīng)過嚴(yán)格的選擇。籽晶的缺陷很容易引入生長(zhǎng)晶體中，因?yàn)閷?shí)驗(yàn)已經(jīng)證明，晶體中的位錯(cuò)大都是從籽晶上延伸出來的，并且籽晶小時(shí)，缺陷對(duì)生長(zhǎng)晶體的相對(duì)影響亦較小。選好的籽晶要經(jīng)過清潔處理和預(yù)熱處理，這樣才能保證生長(zhǎng)晶體的質(zhì)量。