具有良好晶界的異質(zhì)結(jié)構(gòu)對(duì)于電子器件來說十分重要。由于單壁納米碳管尺寸小，具有獨(dú)特的電子性質(zhì)，因此其制造的異質(zhì)結(jié)構(gòu)引起了特別的興趣。碳化物在電子工業(yè)中扮演著重要的角色。例如，SiC是一種有用的寬帶隙的半導(dǎo)體材料。在高溫，高頻，高功率場(chǎng)合得到了廣泛應(yīng)用。過渡族金屬碳化物，如NbC是很好的高熔點(diǎn)，低擴(kuò)散系數(shù)的金屬導(dǎo)體，非常適合在超大規(guī)模的集成電路中應(yīng)用。將這些材料與單壁納米碳管結(jié)合在一起將會(huì)產(chǎn)生新的器件，如單電子管，場(chǎng)效應(yīng)管。研究者已經(jīng)利用基于納米棒和SiC過渡族金屬碳化物之間的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。通過高分辨透射電子顯微鏡和電子衍射觀察表明，該民質(zhì)結(jié)構(gòu)的晶界良好。單壁納米碳管和碳化物之是的界面尺寸處在納米量級(jí)，基本由納米碳管的截面積決定，納米碳管可以得到最小的異質(zhì)結(jié)，在未來的混合納米器件中將扮演重要的角色。