4月25日，山東省發(fā)改委組織專家對(duì)山東禹王實(shí)業(yè)有限公司承建的單晶硅外延基座研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。與會(huì)專家聽取了項(xiàng)目工作、技術(shù)、財(cái)務(wù)等總結(jié)報(bào)告，察看了項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)，一致認(rèn)為該項(xiàng)目完成了批復(fù)文件規(guī)定的建設(shè)內(nèi)容，同意通過(guò)驗(yàn)收。

　　該項(xiàng)目于2009年3月份被國(guó)家發(fā)改委批復(fù)為電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技術(shù)改造項(xiàng)目。項(xiàng)目批復(fù)總投資5554萬(wàn)元，其中，中央預(yù)算內(nèi)投資350萬(wàn)元，銀行貸款3000萬(wàn)元，企業(yè)自籌2204萬(wàn)元。
　　項(xiàng)目新增建筑面積11280平方米；購(gòu)置設(shè)備326臺(tái)（套），建設(shè)了4條CVD生產(chǎn)線，形成了年產(chǎn)單晶硅外延用和氮化鎵外延用碳化硅涂層石墨基座21000套的能力。
　　該項(xiàng)目突破了石墨基座碳化硅涂層的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，建成了目前國(guó)內(nèi)直徑最大的碳化硅沉積爐，能夠進(jìn)行直徑850mm大尺寸基座的生產(chǎn)，打破了國(guó)外壟斷，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，獲國(guó)家發(fā)明專利1項(xiàng)。
　　通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，將填補(bǔ)我國(guó)微電子、光電子半導(dǎo)體外延材料生產(chǎn)所需特種陶瓷基座的空白，替代進(jìn)口，解決此類產(chǎn)品的供給難題，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中關(guān)鍵易耗部件的國(guó)產(chǎn)化。同時(shí)解決硅單晶外延生長(zhǎng)中粘附工件與臺(tái)面的技術(shù)難題，為我國(guó)硅單晶外延片向大直徑、多片基發(fā)展提供設(shè)備支撐，這對(duì)我國(guó)微、光電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將產(chǎn)生顯著的帶動(dòng)作用。