據(jù)Reed-electronics網站報道，Nippon Steel Corp.（日本新日鐵）日前表示，公司已開發(fā)出生產下一代半導體晶圓的技術，預計該技術將提高家電產品和汽車的能源效率。
　　
　　據(jù)稱，該公司新開發(fā)出的碳化硅（SiC）晶圓能夠承受比普通硅晶圓高10倍的電壓，熱導率也要高出3倍。
　　
　　碳化硅化和物是在2,400攝氏度甚至更高的溫度下通過材料再結晶制備的。由于質量控制難度較高，當前還只能生產直徑為2至3寸的SiC晶圓，主要用于科研。
　　
　　Nippon Steel表示其在溫度控制等方面取得的技術突破使得生產4寸SiC晶圓成為可能，這一尺寸的晶圓已可用于實際的半導體生產線。