硅科技公司Integrated Materials, Inc. (IMI) 今天宣布取得一項重大研究突破，該技術(shù)將大幅提高該公司用于氮化硅 (SiN) LPCVD應用的SiFusion牌超純多晶硅爐的性能，并延長其使用壽命。這種已申報專利的獨特方法有望通過大幅延長預防性維護活動之間的時間并減少顆粒缺陷，以前所未有的幅度提高SiN爐生產(chǎn)效率。該技術(shù)的工作原理是修改多晶硅表面的分子屬性，形成一種最適宜于改善薄膜附著力與應力管理的表面狀態(tài)。
　　　　
　　IMI的技術(shù)總監(jiān)Sang In Lee博士說：“‘表面修改與分子加入處理’(SUMMIT) 工藝是一種新工藝，可以增強硅表面和SiN薄膜等高應力薄膜之間的附著力。與IMI的專有表面處理技術(shù)相結(jié)合，SUMMIT工藝可以提供更好的粒子性能和比石英及SiC爐更長的清洗間隔期 (MTBC)，從而提高IMI的硅熱場的生產(chǎn)效率與性能?！?
　　　　
　　該技術(shù)的生產(chǎn)價值評估正在多個客戶所在地進行，與IMI的戰(zhàn)略營銷伙伴Tokyo Electron的聯(lián)合評估也在同步進行中。IMI相信，這一突破技術(shù)可將其SiN應用方面的性能領(lǐng)先優(yōu)勢提高到其競爭者望塵莫及的水平，進一步展示了其 SiFusion?超純多晶硅產(chǎn)品線的技術(shù)特色。
　　　　
　　IMI首席執(zhí)行官Daniel Rubin說：“我們相信，我們的新解決方案將有利于在現(xiàn)有技術(shù)節(jié)點下，更加有效地利用分批處理爐氮化硅工藝，并實現(xiàn)將現(xiàn)有分批處理爐工藝延伸到未來節(jié)點。這一成果無疑會提高生產(chǎn)效率，但是更重要的是，將減少粒子數(shù)，并提高產(chǎn)量。這一SUMMIT工藝成果是SiFusion超純多晶硅爐在2004年推出后，取得的最大的多晶硅爐成果?！?
　　　　
　　對于構(gòu)成LPCVD半導體爐管區(qū)中的處理室的可消耗部件，使用得最廣泛的術(shù)語是爐具 (furnaceware)。IMI通過在其整個200毫米和300毫米SiN產(chǎn)品線（包括塔、底座、襯墊、噴嘴、擋板和檔片）中采用SUMMIT工藝，為尋求大幅提高SiN性能并降低成本的客戶帶來了一個完整的解決方案。
　　　　
　　關(guān)于Integrated Materials, Inc.
　　　　
　　位于美國加利福亞州桑尼維爾的Integrated Materials, Inc.擁有SiFusion專利技術(shù)，是完善半導體行業(yè)尋求多年的多晶硅爐具解決方案的第一家和唯一一家公司。Integrated Materials獨特的SiFusion多晶硅爐系列能夠減少LPCVD中的粒子數(shù)、痕量金屬污染物和高溫工藝中的錯誤，從而超越了傳統(tǒng)的石英和碳化硅材料。SiFusion爐通過大幅減少例行清洗次數(shù)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。
　　
　　
　　
　　來源：中國財經(jīng)網(wǎng)報道