三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發，產品進入小批量生產及送樣階段。

據介紹，湖南三安依托精準熱場控制的自主PVT工藝，8英寸碳化硅襯底實現更低成本及更低缺陷密度，后續將持續提升良率，加快設備調試與工藝優化，并持續推進湖南與重慶工廠量產進程。

據了解，2021年6月，總投資160億元的湖南三安半導體產業園項目一期正式點亮投產；2022年7月，項目二期開建，總投資為80億元，達產后配套年產能為36萬片。今年6月，三安光電宣布與意法半導體簽署協議，將在重慶建立8英寸碳化硅器件合資制造廠。按照計劃，該合資廠全部建設總額預計約達32億美元（約合227.8億人民幣），將于2025年第四季度投產，預計在2028年全面建成。

三安光電是中國第一家、全球第三家實現全產業鏈垂直整合的企業，產業鏈布局包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝?！疤蓟璁a業發展初期實現垂直整合，能夠很好應對不同場景的可靠性問題?！币幻a業人士如是稱。

三安光電碳化硅器件上車進展加速。據了解，該公司推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，產品具備高性能、高一致性和高可靠性等特點，并可根據客制化要求，提供多種靈活工藝方案。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆變器的輔助電源，1200V/75mΩ MOSFET則主要應用于新能源汽車的OBC，兩款產品均處于客戶端導入階段，將逐步批量供貨；1200V /16mΩ車規級芯片已在戰略客戶處進行模塊驗證，預計于2024年正式上車量產。

碳化硅行業三個重點環節（襯底、外延和器件）中，襯底在產業鏈中價值量占比最高，接近50%。碳化硅市場以6英寸為主流，而8英寸能夠生產的晶粒數約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率和產能將會顯著提高，可將單位綜合成本降低 50%。

有產業人士稱，今年將會是8英寸碳化硅元年。今年以來，國際功率半導體巨頭Wolfspeeed、意法半導體等加速發展8英寸碳化硅。而國內市場來看，碳化硅設備、襯底及外延環節亦迎來突破性進展，并且多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭聯手。

除三安光電外，天科合達去年年底發布8英寸導電型碳化硅襯底產品，并宣布將于今年內實現8英寸導電型碳化硅襯底小規模量產。今年5月，天科合達與英飛凌簽署長期協議，天科合達將提供200毫米（8英寸）直徑碳化硅材料，幫助英飛凌向200毫米直徑晶圓的過渡。

天岳先進此前亦曾表示，公司已經具備8英寸導電型碳化硅襯底的量產能力。在今年的Semicon China展會上，天岳先進公布了業內首創的采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新，突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題。天岳先進在今年5月與英飛凌簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應協議，供貨碳化硅6英寸襯底、合作制備8英寸襯底。

晶盛機電此前宣布，公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術，成功生長出8英寸N型碳化硅晶體，解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均，晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。晶盛機電此前亦宣布將會在今年內實現8英寸產品小批量量產。

科友半導體實現了6英寸SiC單晶襯底的規模生產和批量供貨，以及8英寸SiC單晶襯底的小批量生產及供貨。今年9月，科友首批自產8英寸SiC襯底，于科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線。

在碳化硅設備方面，晶盛機電成功推出8寸單片式碳化硅外延設備，可兼容6英寸/8英寸碳化硅外延，外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內，達到行業領先水平。

晶升股份已向多家客戶交付8寸碳化硅長晶設備。據公司稱，部分客戶已經取得了一定的研發成果，正在不斷優化工藝制程。晶升股份碳化硅單晶爐業務已覆蓋國內碳化硅產業鏈涉及襯底制造的主要廠商，已實現對國內產銷規模較大、產業鏈布局較為完善的IDM企業——三安光電的批量供應。