晶圓代工大廠近期動態(tài)頻頻，牽動晶圓代工版圖變動。世界先進(jìn)公開表示，正式進(jìn)軍12英寸晶圓代工，并再度開啟下個30年的技術(shù)策略轉(zhuǎn)型之路，碳化硅領(lǐng)域也收入發(fā)展版圖；印度首座12英寸晶圓廠已啟動，目前印度政府已經(jīng)批準(zhǔn)了五座價值約180億美元的半導(dǎo)體工廠建設(shè)案；此外由臺積電建設(shè)的全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工。行業(yè)多方表示，AI相關(guān)需求未來還將迸發(fā)更大潛力，臺積電的盈利還將進(jìn)一步水漲船高。

       世界先進(jìn)：進(jìn)軍12英寸晶圓代工，五年后年營收來到1000億元新臺幣

       11月2日，世界先進(jìn)董事長暨策略長方略表示，世界先進(jìn)今年正式踏入12英寸晶圓代工并建新廠，公司與外界都對計劃充滿信心，盼五年后新廠滿載生產(chǎn)將使年營收從500億元新臺幣來到1000億元新臺幣。方略強(qiáng)調(diào)，公司年中時候公布和恩智浦合作投資78億美元建設(shè)一座12英寸晶圓廠，其中臺積電將提供所有需要的重要技術(shù)和資源。

       公開資料顯示，6月5日，世界先進(jìn)和恩智浦半導(dǎo)體共同宣布，計劃在新加坡共同成立一家制造合資公司VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），興建一座12英寸晶圓廠。資金投入方面，該晶圓廠投資金額共計78億美元，世界先進(jìn)將注資24億美元，并持有60%股權(quán)，恩智浦半導(dǎo)體將注資16億美元，持有40%股權(quán)，該晶圓廠將由世界先進(jìn)公司營運(yùn)。另外，雙方承諾將投入共19億美元的長期產(chǎn)能保證金及使用費(fèi)，剩余資金（包括借款）將由其他單位提供。

       此座晶圓廠將采用130nm至40nm的技術(shù)，生產(chǎn)包括混合信號、電源管理和模擬產(chǎn)品，面向汽車、工業(yè)、消費(fèi)性電子及移動終端等市場，相關(guān)技術(shù)授權(quán)及技術(shù)轉(zhuǎn)移預(yù)計將來自臺積電。VSMC將在獲得相關(guān)監(jiān)管機(jī)關(guān)核準(zhǔn)后，于2024年下半年開始興建首座晶圓廠，并預(yù)計于2027年開始量產(chǎn)。2029年，該晶圓廠月產(chǎn)能預(yù)計將達(dá)5.5萬片12英寸晶圓，將在新加坡創(chuàng)造約1500個工作機(jī)會。同時，在首座晶圓廠成功量產(chǎn)后，合作雙方將考慮建造第二座晶圓廠。

       公開資料顯示，世界先進(jìn)創(chuàng)辦人張忠謀在2004年，決定該廠策略轉(zhuǎn)型從DRAM轉(zhuǎn)作晶圓代工，至今該廠持續(xù)獲利。目前世界先進(jìn)擁有五座8英寸晶圓廠，分別位于中國臺灣地區(qū)、新加坡。其中，共三座8英寸廠位于新竹，一座8英寸廠位于桃園。2023年平均月產(chǎn)能約27.9萬片8英寸晶圓。

       近兩年，世界先進(jìn)再度開啟了下一個30年的技術(shù)策略轉(zhuǎn)型之路，其在互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）、BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）、電源管理、 分離式元件（Discrete）等領(lǐng)域，均成為晶圓代工關(guān)鍵供應(yīng)廠。

       今年9月，世界先進(jìn)與漢磊共同宣布簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手合作推動化合物半導(dǎo)體碳化硅（SiC）八英寸晶圓的技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造；世界先進(jìn)投資24.8億元新臺幣，參與漢磊私募普通股認(rèn)購，以共同推動具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品制造服務(wù)，創(chuàng)建雙方的長期戰(zhàn)略合作關(guān)系。從之可看出，第三代化合物半導(dǎo)體也已納入世界先進(jìn)的發(fā)展版圖中。

       印度首座12英寸晶圓廠啟動

       11月1日，晶圓代工大廠力積電宣布，其與印度塔塔集團(tuán)（Tata Electronics）合作建設(shè)印度首座12英寸晶圓廠計劃正式啟動，力積電已收到塔塔集團(tuán)支付的Fab IP第一期款項，新廠建設(shè)計劃將積極推進(jìn)。同時，通過客戶驗證的高容值中介層（Interposer）也將量產(chǎn)交貨。

       公開資料顯示，9月27日，力積電與印度塔塔集團(tuán)旗下塔塔電子于新德里簽訂了雙方合作最終協(xié)議，力積電將提供技術(shù)授權(quán)（而非投資），協(xié)助塔塔電子在印度古吉拉特邦（Gujarat）多雷拉（Dholera）建設(shè)印度首座12英寸晶圓廠，并轉(zhuǎn)移成熟制程技術(shù)以及培訓(xùn)印度員工。根據(jù)雙方協(xié)議，這座12英寸晶圓廠總投資額將達(dá)110億美元，月產(chǎn)能5萬片，計劃于2026年完成12英寸晶圓廠的建設(shè)并投入量產(chǎn)，有望為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造超過2萬個高科技工作機(jī)會。

       據(jù)了解，該12英寸晶圓廠主要采用力積電的成熟制程技術(shù)，計劃生產(chǎn)電源管理、面板驅(qū)動芯片及微控制器、高速運(yùn)算邏輯芯片等，主要面向車用、運(yùn)算與數(shù)據(jù)存儲、無線通信及人工智能等終端應(yīng)用市場。所需的110億美元投資將主要來自于塔塔集團(tuán)和印度政府，力積電提供制程技術(shù)、建廠及產(chǎn)線營運(yùn)經(jīng)驗等（需要塔塔集團(tuán)支付Fab IP相關(guān)費(fèi)用），待該晶圓廠運(yùn)營上軌道后，會逐步淡出合作設(shè)立的晶圓廠，后續(xù)可能僅以持股模式存在。

       力積電還透露，由于國際大型科技公司積極建置AI算力，公司定制化的高容值中介層在通過客戶驗證后已進(jìn)入備貨階段，將于今年底開始量產(chǎn)出貨。力積電近年大力發(fā)展的Wafer on Wafer晶圓堆疊技術(shù)，也獲得大型合作伙伴認(rèn)同，已開始投入量產(chǎn)四層DRAM晶圓堆疊產(chǎn)品，將于明年運(yùn)交給客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗證，以配合下游客戶未來在Edge AI應(yīng)用的營銷規(guī)劃。

       據(jù)悉，印度已經(jīng)吸引了恩智浦、美光、泛林集團(tuán)、力積電、高塔半導(dǎo)體、英偉達(dá)、AMD、以及應(yīng)用材料等國際半導(dǎo)體廠商的投資目光。具體在芯片制造領(lǐng)域，印度政府已經(jīng)批準(zhǔn)了五座價值約180億美元的半導(dǎo)體工廠建設(shè)項目，主要涉及晶圓代工廠和封測廠。

       全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工

       據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，臺積電位于高雄P1廠首座2nm晶圓廠即將完工，臺積電計劃于11月26日邀請多方合作伙伴、行業(yè)專家及媒體共同參加進(jìn)機(jī)典禮，該廠的設(shè)備安裝工作將于12月1日正式展開。

       臺積電方面表示，高雄晶圓廠項目自2021年11月正式宣布以來，一直按計劃順利推進(jìn)。該廠于2022年開工，目前建設(shè)進(jìn)度良好，并已完成了必要的公共基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。臺積電強(qiáng)調(diào)，其高雄P1廠的建設(shè)和投產(chǎn)是公司在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局中的重要一環(huán)，旨在進(jìn)一步鞏固其在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

       在技術(shù)研發(fā)上，臺積電強(qiáng)調(diào)其2nm制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，效能和良率均按計劃實現(xiàn)，甚至部分表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，2nm制程將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn)，量產(chǎn)曲線預(yù)計與3nm相似。

       消息人士稱，臺積電2nm制造業(yè)務(wù)將在新竹科學(xué)園區(qū)（HSP）寶山F20廠區(qū)和高雄楠梓F22廠區(qū)進(jìn)行。寶山廠預(yù)計年底實現(xiàn)小規(guī)模試產(chǎn)線（mini line）完工，將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，月產(chǎn)能約為3萬片晶圓；高雄F22廠將于2026年第一季度開始商業(yè)化生產(chǎn)，月產(chǎn)能為3萬片晶圓。

       臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家曾表示，2nm工藝的市場需求空前高漲。目前，2nm制程的計劃產(chǎn)能已經(jīng)超過了之前的3nm制程，這充分說明了市場對先進(jìn)制程技術(shù)的強(qiáng)烈需求。魏哲家還透露，臺積電已經(jīng)向客戶驗證了2nm產(chǎn)品的藍(lán)圖，并提供了高于3萬美元的工藝報價。

       據(jù)臺積電近三年財報數(shù)據(jù)顯示，7nm及其以下營收占比越來越高，今年二、三季度先進(jìn)工藝占76%和69%，成熟工藝占24%和31%。隨著先進(jìn)制程占比不斷增加的還有利潤率，三季度營業(yè)凈利率47.5%，二季度則為42.5%，這在所有芯片代工企業(yè)中實屬罕見。

       而從應(yīng)用端看，今年牽引臺積電業(yè)績增長的主要是HPC高性能計算、手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域。其中智能手機(jī)、AI相關(guān)領(lǐng)域?qū)?nm、3nm技術(shù)及更高性能制程需求強(qiáng)勁。行業(yè)多方表示，AI相關(guān)需求未來還將迸發(fā)更大潛力，臺積電的盈利還將進(jìn)一步水漲船高。