申請號: 201710137433.5
申請日: 2017.03.09
國家/省市: 中國河南(41)
公開號: 106966732A
公開日: 2017.07.21
主分類號: C04B 35/565(2006.01)
分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/65(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
申請人: 平頂山學院
發明人: 韓永軍; 黃立軍; 李勇
代理人: 潘宏偉
代理機構: 61223
申請人地址: 河南省平頂山市新城區未來路南段平頂山學院

摘要： 本發明公開了一種細粉碳化硅陶瓷的制備方法，屬于碳化硅陶瓷制備技術領域。具體的，以晶硅片切割刃料尾料細粉為細粉原料反應燒結碳化硅陶瓷，極大降低了制備成本，原料粉體通過化學法除雜，在混料機內將原料碳化硅細粉、炭黑、分散劑、減水劑和分散介質混合均勻，注漿成型后烘干，最后高溫滲硅，制備出性能優異的細化碳化硅陶瓷。本發明提供的制備方法，工藝簡單，以成本極低的晶硅片切割刃料尾料細粉為細粉原料反應燒結SiC陶瓷，極大降低了制備成本，所制得的細粉碳化硅陶瓷機械性能好，致密度高，具有比普通SiC陶瓷具有更高的強度和硬度等優異的性能，具有十分廣闊的市場空間和良好的經濟及社會效益。 

主權利要求
1.一種細粉碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：S1：將炭黑、細粉碳化硅、分散劑、減水劑和分散介質混合，得到混合漿料，其中，所述細粉碳化硅為粒徑為3.2～3.9微米的晶硅片切割刃料尾料細粉，所述炭黑和所述細粉碳化硅的質量比為1：6～8，所述分散劑和所述細粉碳化硅的質量比為1：120～150，所述減水劑和所述細粉碳化硅的質量比為1：800～1800，所述分散介質和所述細粉碳化硅的質量比為1：20～25；S2：將所述混合漿料注漿成型，得到坯料，將成型后的坯料在75～85℃烘干4～6小時；S3：將烘干后的坯料用由氮化硼、炭黑和硅粉組成的混合粉末進行包埋，之后依次于真空狀態下100～300℃干燥2個小時，氮氣氣氛下350～850℃排膠3個小時，真空狀態下升溫至1650～1720℃燒結，得到所述細粉碳化硅陶瓷，其中，混合粉末中炭黑、硅粉、氮化硼的質量比為1:50：1000～1250。